top of page

Типы фотоэлементов

Открытие фотоэффекта имело очень большое значение для более глубокого понимания природы света. Но цен­ность науки состоит не только в том, что она выясняет сложное и многообразное строение окружающего нас мира, но и в том, что она дает нам в руки средства, используя которые можно совершенствовать производство, улуч­шать условия материальной и культурной жизни обще­ства.

 

С помощью фотоэффекта «заговорило» кино и стала возмож­ной передача движущихся изображений (телевидение). Приме­нение фотоэлектронных приборов позволило создать станки, которые без всякого участия человека изготовляют детали по заданным чертежам. Основанные на фотоэффекте приборы контролируют размеры изделий лучше любого человека, вовре­мя включают и выключают маяки и уличное освещение и т. д.

Все это оказалось возможным благодаря изобретению осо­бых устройств — фотоэлементов, в которых энергия света управляет энергией электрического тока или преобразуется в нее.

 

Вакуумный фотоэлемент

Современный вакуумный фотоэлемент представляет собой стеклянную колбу, часть внутренней поверхности которой по­крыта тонким слоем металла с малой работой выхода (рисунок  5.8). Это катод 1. Через прозрачное «окошко» свет проникает внутрь колбы. В ее центре расположена проволочная петля или диск — анод 2, который служит для улавливания фото­электронов. Анод присоединяют к положительному полюсу ба­тареи. Фотоэлементы реагируют на видимый свет и даже на инфракрасные лучи.

При попадании света на катод фотоэлемента в цепи возни­кает электрический ток, который включает или выключает то или иное реле. Комбинация фотоэлемента с реле позволяет конструировать множество различных «видящих» автоматов. Одним из них является автомат в метро. Он срабатывает (вы­двигает перегородки) при пересечении светового пучка, если предварительно не опущен жетон.

Подобного рода автоматы могут предотвращать аварии. На заводе фотоэлемент почти мгновенно останавливает мощный пресс, если рука человека оказывается в опасной зоне.

Фотореле

Схема фотореле показана на рисунке 5.9. При попадании света на фотоэлемент в цепи батареи G1 через резистор R идет слабый ток. К концам резистора присоединены база и эмиттер транзистора. Потенциал базы выше потенциала эмиттера, и ток в коллекторной цепи транзистора отсутствует. Когда рука человека попадает в опасную зону, она перекрывает световой поток, падающий на фотоэлемент. Переход эмиттер — база от­крывается для основных носителей, и через обмотку реле, включенного в цепь коллектора, пойдет ток. Реле сработает, и контакты реле замкнут цепь питания механизма, который ос­тановит пресс.

 

 

Полупроводниковые фотоэлементы

Кроме рассмотренного в этой главе фотоэффекта, называемо­го внешним фотоэффектом, разнообразные применения нахо­дит внутренний фотоэффект в полупроводниках. Это явление используется в фоторезисторах — приборах, сопротивление которых зависит от освещенности. Кроме того, сконструирова­ны полупроводниковые фотоэлементы, создающие ЭДС и не­посредственно преобразующие световую энергию в энергию электрического тока. ЭДС, называемая в данном случае фото ЭДС, возникает в области р—n-перехода двух полупровод­ников при облучении этой области светом. Под действием света образуются пары электрон — дырка. Электрическое поле в контакте заставляет неосновные носители полупроводников перемещаться через контакт. Дырки из полупроводника n-типа перемещаются в полупроводник p-типа, а электроны из полупроводника р-типа -в область я-типа. Это приводит к накоплению основных носителей в полупроводниках n- и p-типов. В результате потенциал полупроводника p-типа уве­личивается, а n-типа уменьшается. Это происходит до тех пор, пока ток неосновных носителей через р—n-переход сравняется с током основных носителей через этот же переход. Между полупроводниками устанавливается разность потен­циалов, которая и представляет собой фото-ЭДС. Если замкнуть цепь через внешнюю на­грузку, то в цепи пойдет ток, определяемый  разностью токов неосновных и основных носителей через р-n-переход (рисунок 5.10).  Этот ток зависит от интенсивности падающего света и сопротивления резистора R.                                                                                 

Фотоэлементы с р—n-переходом (иначе  называемые вентильными) создают ЭДС порядка 1-2 В. Их выходная мощность дости­гает сотен ватт при коэффициенте полезного действия до 20%. Такие фотоэлементы можно использовать, например, в фотоэкспонометрах. Особенно широкое примене­ние полупроводниковые элементы получили при изготовлении солнечных батарей, устанавливаемых на всех космических ко­раблях (рисунок 5.11). К сожалению, пока такие батареи довольно дороги.

 

 

 

 

 

Вопросы для самоконтроля

1.Что такое вакуумный фотоэффект?

2. Расскажите принцип работы Фотореле.

3. Что такое полупроводниковые фотоэлементы?

4. Как по другому называются ​ полупроводниковые фотоэлементы?

5. Применение полупроводниковых фотоэлементов.

вак.PNG
в.PNG
5,10.PNG
5,11.PNG
bottom of page